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FDP7N50详细

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220

FDP7N50厂商

Fairchild Semiconductor

FDP7N50参数

包装:管件,系列:UniFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):900 毫欧 @ 3.5A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.6nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):940pF @ 25V,功率 - 最大值:89W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220
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